PIKE Technologies / ATR Accessory

PIKE HATR可更換晶體板的多重反射 ATR 附件

PIKE HATR 是安裝於 FTIR 樣品室的水平式 ATR 取樣附件,適合液體、糊狀物、聚合物與薄膜的成分分析。多重反射設計增加紅外光與樣品的作用次數,可用於低濃度成分分析及定量量測。

PIKE HATR 水平式多重反射 ATR 附件
Crystal Plates

平板與槽型晶體板

PIKE HATR Flat Plate 平板晶體板

平板晶體板 Flat Plate

用於固體、聚合物與可貼合晶體的薄膜。晶體表面略高於板座,搭配壓持器,使樣品與晶體保持接觸。

可選材質
ZnSe、Ge、AMTIR、Si、KRS-5
密封版本
ZnSe Sealed、Ge Sealed
密封平板用於油類及其他低表面張力、非揮發性液體,晶體與板座之間以金屬墊片密封。
PIKE HATR Trough Plate 槽型晶體板

槽型晶體板 Trough Plate

凹槽承接液體與糊狀樣品,樣品覆蓋晶體表面即可量測。軟粉末可搭配粉末壓持件,增加與晶體的接觸。

可選材質
ZnSe、Ge、AMTIR、Si、KRS-5
揮發性樣品
搭配揮發罩,減少量測期間的樣品蒸發

45°、4 mm 厚晶體提供 10 次反射;2 mm 厚的 ZnSe 與 Ge 可提供 20 次反射。較薄晶體增加反射次數,也會降低整體光通量。

ATR Crystal Materials

晶體材質特性

材質光譜範圍(cm⁻¹)相容 pH 值
ZnSe20,000–6305–9
Ge5,500–7801–14
AMTIR11,000–6301–9
Si8,300–1,5001–12
KRS-517,900–4005–8

氨與 EDTA 等錯合劑會侵蝕 ZnSe,須同時考量溶液成分。Si 在多重反射 HATR 中低於約 1500 cm⁻¹ 的吸收,會限制該波段的量測。

Temperature Control

溫控量測配置

比較材料升溫、冷卻過程的光譜,或在固定溫度下追蹤反應,可分別選用電阻加熱或液體夾套控溫配置。

PIKE HATR 加熱槽型晶體板與溫度控制器,前方為加熱流通槽
HATR 加熱槽型晶體板與溫度控制器;前方為加熱流通槽。

一般加熱控溫 Heated

以電阻加熱升溫或維持固定溫度,用於比較不同溫度下的光譜,或追蹤恆溫反應的成分變化。

基本配置
加熱槽型晶體板或加熱流通槽+PIKE 溫度控制器
溫度範圍
室溫至 120°C

液體夾套控溫 Liquid Jacketed

由外部循環液與晶體板交換熱量,可加熱與冷卻,適合需要比較升溫、降溫過程的量測。

基本配置
液體夾套晶體板或流通槽+外部循環控溫設備
控溫條件
可加熱至 120°C;冷卻範圍需確認循環設備與實驗條件

配置詢問時請提供 FTIR 品牌與型號,以確認安裝底座、晶體板及溫控配件的搭配。