185 nm:臭氧生成
185 nm 紫外光使氧氣參與臭氧生成,建立表面氧化處理所需的反應環境。
Technical Principle
185 nm 紫外光促使氧氣形成臭氧;254 nm 紫外光則參與臭氧分解與表面有機物反應。兩個波段共同形成氧化環境,用於降低表面碳氫類污染,並可能改變材料的潤濕性與表面能。
185 nm 紫外光使氧氣參與臭氧生成,建立表面氧化處理所需的反應環境。
254 nm 紫外光參與臭氧分解及表面有機物反應,用於降低表面有機污染。
材料、污染物種類、樣品與燈源距離、處理時間、氣氛、溫度及處理後等待時間,均可能影響接觸角、鍵合、塗佈與表面分析結果。
Application Scope
Published Research Applications
Microfluidics / Thermoplastics
研究以 NovaScan UV/Ozone cleaner 處理 COC、PC 與 PMMA,評估親水性在不同保存環境中的變化,以及蛋白質吸附與 PMMA 微流道的毛細流動。除濕或真空保存可延緩 COC 與 PC 的疏水回復;處理後樣品的蛋白質吸附量降低,PMMA 微流道在較長處理時間下呈現較快的毛細流速。
論文全稱Stability of UV/ozone-treated thermoplastics under different storage conditions for microfluidic analytical devices
資料來源RSC Advances, 2017, 7, 37374–37379. DOI: 10.1039/C7RA07435B
Semiconductor / Thin Films
研究以 NovaScan PSD-series 對超音波噴霧製備的 ZrOx 介電薄膜進行室溫後處理。在該研究條件下,處理 120 分鐘後的 RMS roughness 由約 0.63 nm 降至約 0.28 nm,水接觸角由 48° 降至 7°;後續 IGZO/ZrOx TFT 的遷移率、開關電流比與漏電流等指標亦呈現變化。
論文全稱Influence of Post-UV/Ozone Treatment of Ultrasonic-Sprayed Zirconium Oxide Dielectric Films for a Low-Temperature Oxide Thin Film Transistor
資料來源Materials, 2020, 13(1), Article 6. DOI: 10.3390/ma13010006
Coating / Nanomaterials
研究使用 NovaScan PSD series,比較熔融石英經 UV/Ozone、O2 plasma 與 CF4 plasma 處理後的奈米鑽石沉積結果。UV/Ozone 與 O2 plasma 處理後得到較均勻的超音波噴塗層;處理後等待時間造成的表面變化亦影響潤濕性與沉積結果。
論文全稱The Influence of UV–Ozone, O2 Plasma, and CF4 Plasma Treatment on the Droplet-Based Deposition of Diamond Nanoparticles
資料來源ACS Applied Materials & Interfaces, 2024, 16(1), 1719–1726. DOI: 10.1021/acsami.3c14014
Microfluidics / Wettability
研究以 NovaScan PSD 處理微磁基板上的 spacer 30 分鐘;在該組樣品中,水接觸角由 93.8° ± 2.6° 降至 70.0° ± 3.2°。完成表面處理後,晶片用於超順磁奈米粒子的磁泳操控與核酸螢光訊號實驗。
論文全稱Fast and precise magnetophoresis of superparamagnetic nanoparticles on a micro-magnetic substrate in a static liquid environment
資料來源Lab on a Chip, 2026, 26, 2237–2249. DOI: 10.1039/D5LC01072A
Technical Evaluation and System Integration
SmarTeam 提供應用條件確認、NovaScan 系統配置、實驗室安裝條件與維護支援。
確認表面清潔、活化、鍵合、親水化、殘留處理、薄膜製程或材料分析等處理目的,並界定後續驗證方式。
依樣品材料、尺寸、高度、批次量、處理面積、溫度與單面或雙面處理需求,核對主機系列、UV Lamp、gas ports 與 OES 配置。
確認設備空間、電源、製程氣體、通風、管路與臭氧出口安排。
提供安裝、操作訓練、安全說明、UV Lamp 與 OES filter 維護,以及原廠技術文件支援。
Product Series and Configuration
PSD Series
Preset Digital Controller
核心差異六段預設時間(15/30/45/60/90/120 分鐘),支援手動中斷。
PSD Pro Series
Microprocessor Controller
核心差異可自行設定處理秒數,並具倒數、暫停、中斷與前次設定記憶。
PSD Pro Heated Series
Microprocessor Controller + PID Thermal Stage
核心差異採 PSDP 控制架構,出廠整合 PID 加熱 Stage;最高 200°C,300°C 可選。
| Lamp Model | UV4 | UV8 | UV10 | UV12 | UV1216 | UV1616 | UV2020 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Lamp Size | 100 x 100 mm | 200 x 200 mm | 250 x 250 mm | 300 x 300 mm | 300 x 400 mm | 400 x 400 mm | 500 x 500 mm |
PSDP 另可配置 Dual Lamp VS,提供 Top/Bottom Lamp 單獨或同步照射;最大樣品高度為 0–60 mm。
OES Series | Ozone Filtration Evacuators
為什麼需要臭氧還原:UV/Ozone 處理期間會在腔體內形成臭氧;即使燈管熄滅,腔體與管路內仍可能留有殘餘臭氧。OES 系列在處理期間及處理後協助抽排腔體氣體,促進氣體循環與置換。
如何還原臭氧:臭氧相容無油隔膜幫浦將腔體氣體導入 Parallel Dual Filter 催化過濾模組,使臭氧分解為氧氣,其總反應為 2 O3 → 3 O2。因此 OES 並非單純抽氣,而是結合氣體抽排與臭氧催化處理。
| 室溫系統型號 | OES1000D3,適用於室溫 UV Ozone 系統。 |
| 臭氧處理方式 | Parallel Dual Filter Catalytic Filtration Module。 |
| 抽排方式 | 臭氧相容無油隔膜幫浦,氣體接觸表面採 PTFE。 |
| 15 分鐘腔體氣體交換量 | UV4/UV8:10 倍以上;UV10/UV12/UV1216:6 倍以上;UV1616/UV2020:3 倍。 |
| 管路接頭 | Input/Output:5/16-inch barbed fittings。 |
| 電源 | 110-120 VAC, 3 A;220-240 VAC, 1.5 A。 |
| 尺寸與重量 | 12 L x 15.5 W x 6 H inches;約 15 lb,依型號略有差異。 |
此數據表示 15 分鐘內可抽排的腔體容積倍數,不代表臭氧濃度已降至特定值。
Thermal UV Evacuator Models
Up to 200°C Stage
對應室溫或最高 200°C 加熱 Stage 的 UV Ozone 系統。若需處理高溫排氣,可另選 Pre-Evacuator Line Cooler,使排氣先行降溫,再進入 OES。
Up to 300°C Stage
對應室溫或最高 300°C 加熱 Stage 的 UV Ozone 系統。適用於較高溫的 UVT 配置;高溫排氣的前端降溫可另選 Pre-Evacuator Line Cooler。
Automatic Ozone Evacuation Control
Auto Activated Ozone Evacuator 為自動啟停選配,可讓相容的 PSDP UV 主機配合 UV 處理流程,在處理期間及處理後自動控制臭氧還原系統的啟動與停止。
Technical Consultation
如需評估研究應用或系統配置,請提供樣品材料、尺寸與高度、製程目的、加熱或氣體需求,以及預定的驗證方式。SmarTeam 將協助核對主機、UV Lamp、OES 與實驗室安裝條件。