掠角增益技術
60° 至 65° 入射角搭配 Ge 晶體，可顯著強化表面訊號，特別適合單分子層與超薄膜分析。
Feature Grid
產品特色專為單分子層、薄膜與半導體表面分析需求所打造
大尺寸樣品平台
開放式設計支援最大 200 mm（8 吋）樣品，可對應整片晶圓與大型平面基板量測需求。
精密壓力保護
內建 slip-clutch 壓力調節器，可在保護 Ge 晶體的同時提供高度一致且可重複的接觸力。
Performance & Path
量測表現與掠角應用範例
Performance Comparison
VariGATR 在極薄有機單分子層量測中可呈現優異的靈敏度表現；相較傳統掠角量測方式，其靈敏度可提升至少一個數量級，特別適合表面化學與薄膜研究。
Optical Path / Surface Response
Ge 晶體搭配 60° 至 65° 掠角條件，可有效強化表面層訊號。對於矽晶圓與金屬基板上的薄膜樣品，可在高重現性接觸條件下獲得清晰且具辨識度的表面光譜資訊。
Sample Contact Detail
VariGATR 的接觸機構專為大型樣品與表面量測條件所設計，可在保護 Ge 晶體的同時建立穩定且可重複的接觸狀態，對極薄膜與表面吸附層分析尤其重要。
適合的量測方向
VariGATR 特別適合以表面訊號為主要觀察目標的研究情境。若分析重點在於表面官能基、吸附層或超薄膜變化，通常較一般 ATR 附件更能凸顯表面層資訊。
Si wafers
Monolayers
Thin films
Metallic substrates
Adsorbed species
Surface chemistry
首選樣品： 晶圓表面、超薄有機膜、單分子層與吸附物種。
量測優勢： Ge 晶體搭配掠角條件，可強化表面層吸收訊號並降低基材干擾。
導入情境： 表面改質評估、薄膜製程比較、官能基變化追蹤與半導體研發分析。
Technical Specs
技術規格
主要規格
| 入射角 (Angle of Incidence) | 60° – 65° |
| 晶體材質 (Crystal) | Germanium (Ge) |
| 樣品尺寸 (Sample Size) | Up to 8 inches |
| 壓力控制 (Pressure Control) | Integrated slip-clutch |
| 光譜範圍 (Spectral Range) | 5000 – 650 cm-1 |
VariGATR 為預先校正完成的水平式掠角 Ge ATR 附件，支援大尺寸樣品量測。若樣品尺寸較大，亦可搭配大型樣品觀測配件與 force sensor 等延伸選配。